半導体ドライエッチングプロセス用ガス開発

7時間45分

9：00～17：30

8：30～17：00

3年以上。

SEM、膜厚測定器）、表面分析装置（XPS、FTIR）、プラズマ 診断装置（各種プローブ、発光分光装置、質量分析計）の原理を理解し測定できる。 採用予定人数 未定 資格2 ・エッチングプロセスを扱える人材を育成及び指導した経験がある。

2日制、夏季休暇、

124日、

22日（初年度14日）、

5連休制度 福利厚生 独身寮、社宅完備

1回(4月) 、

2回(6月、12月)

35歳(一般) 約774万円(裁量労働手当６万 / 月

38万5千円・賞与 約240万円 / 年